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Diode émetteuse d'infrarouge de GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W

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Chine HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd certifications
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Examens de client
À la veille du soixante-dixième anniversaire de la fondation de la république populaire de Chine, veuillez agréer nos félicitations plus sincères et plus chaudes ces grandes vacances. Nous apprécions considérablement l'expérience positive de la coopération entre nos sociétés et attendons avec intérêt le développement mutuellement salutaire ultérieur de notre association.

—— V.P. Vasilyev

nous coopérons avec la double lumière pendant tant de fois, chaque fois que ils nous soutiennent par de bons produits et prix gentil.

—— Idiot des USA

Coopère avec Rony, je n'ai pas besoin de s'inquiéter trop, il peux arranger tout bien.

—— Harpiste Steve de Turquie

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Diode émetteuse d'infrarouge de GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W

GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W Infrared Emitting Diode
GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W Infrared Emitting Diode GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W Infrared Emitting Diode GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W Infrared Emitting Diode

Image Grand :  Diode émetteuse d'infrarouge de GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Chine (continentale)
Nom de marque: Double Light
Certification: ISO9001:2008,ROHS
Numéro de modèle: DL-HP10SIRA-1SIR120

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 10.000 exemplaires
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Dimensions par unité : 0,28 × du × 0,2 0,13 mètres • Poids par unité : 3,5 kilogrammes • Unités pa
Délai de livraison: 5-7 jours ouvrables après ont reçu votre paiement
Conditions de paiement: Transfert télégraphique à l'avance (TTT anticipé, T/T)
Capacité d'approvisionnement: 15,000,000pcs par jour
Contact
Description de produit détaillée
Matériel de puce: GaAlAs Dissipation de puissance: 1000mW
tension inverse: 5v Longueur d'onde maximale d'émission: 850nm
Courant en avant: 350mA Angle de visualisation: 120 degrés
Surligner:

1W Infrared Emitting Diode

,

1000mW Infrared Emitting Diode

,

850nm High Power Emitting Diode

l'infrarouge 850nm a mené 1W la diode électroluminescente rouge infrarouge de la puissance élevée LED

 

                                                                   DL-HP10SIRA-1SIR120.pdf

Caractéristiques :

  • Fiabilité élevée.
  • Radiance élevée.
  • Basse tension en avant.
  • Longueur d'onde maximale λp=850nm.
  • Le produit lui-même restera dans la version conforme de RoHS.

Descriptions :

  • Le DL-HP10 SIR Infrared Emitting Diode est une diode de forte intensité.
  • Le dispositif est spectralement assorti avec le phototransistor, la photodiode et le module de récepteur infrarouge.

Applications :

  • Système de transmission d'air libre.
  • Commutateur optoélectronique.
  • Lecteur de disquettes.
  • Système appliqué infrarouge.
  • Détecteur de fumée.

Diode émetteuse d'infrarouge de GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W 0

Numéro de la pièce. Chip Material Couleur de lentille Couleur de source
DL-HP10SIRA-1SIR120 GaAlAs Espace libre de l'eau Infrarouge

 

Notes :

  • Toutes les dimensions sont dans les millimètres.
  • La tolérance est ± 0,25 millimètres (.010 ″) sauf indication contraire.
  • Les caractéristiques sont sujettes au changement sans préavis.

 

Capacités absolues à Ta=25℃

Paramètres Symbole Maximum. Unité
Dissipation de puissance Palladium 1000 mW
Courant en avant maximal
(Coefficient 1/10 d'utilisation, durée d'impulsion 0.1ms)		 IFP 1,00
Courant en avant SI 350 mA
Tension inverse VR 5 V
Chaîne de température de fonctionnement Topr -10℃ à +70℃
Température ambiante de température de stockage Tstg -20℃ à +80℃
La température de soudure Tsol 260℃ pendant 5 secondes
 

 

Caractéristiques optiques électriques à Ta=25℃

Paramètres Symbole Mn. Type. Maximum. Unité Condition d'essai
Radiance IE 110 180 ---- mW/Sr IF=350mA
Angle de visualisation * 2θ1/2 ---- 120 ---- Degré (Note 1)
Longueur d'onde maximale d'émission λp ---- 850 ---- nanomètre IF=350mA
Largeur de bande spectrale △λ ---- 45 ---- nanomètre IF=350mA
Tension en avant VF 1,30 1,50 1,80 V SI =350mA
Courant inverse IR ---- ---- 50 µA V R =5V
 

Notes :

  • le θ 1/2 est l'angle en dehors de l'axe auquel l'intensité lumineuse est moitié d'intensité lumineuse axiale.

 

Diode émetteuse d'infrarouge de GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W 1
 
 
Diode émetteuse d'infrarouge de GaAlAs 120Deg 1000mW 850nm 1W 2 
 
Roundy
Téléphone : 86-755-82853859
Fax : 86-755-83229774
Email : Roundy@doublelight.com.cn
Wechat : 15216951191
Skype : Roundy@doublelight.com.cn
Whatsapp : +86 15216951191
 
 

Produit Tag:

diode électroluminescente conduit,

940nm infrarouge dirigé,

IR ÉMETTANT LA DIODE

Coordonnées
HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd

Personne à contacter: Roundy

Téléphone: +8615216951191

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