HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd


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La diode 1206 infrarouge infrarouge d'IR LED 660nm 800nm a mené pour l'application de matériel médical

La diode 1206 infrarouge infrarouge d'IR LED 660nm 800nm a mené pour l'application de matériel médical

    • 1206 IR Infrared LED 660nm 800nm infrared diode led for Medical Equipment application
    • 1206 IR Infrared LED 660nm 800nm infrared diode led for Medical Equipment application
    • 1206 IR Infrared LED 660nm 800nm infrared diode led for Medical Equipment application
  • 1206 IR Infrared LED 660nm 800nm infrared diode led for Medical Equipment application

    Détails sur le produit:

    Lieu d'origine: La Chine
    Nom de marque: Double Light
    Certification: ISO9001:2008,Rosh
    Numéro de modèle: DL-R1206PD

    Conditions de paiement et expédition:

    Quantité de commande min: 1000 pcs
    Détails d'emballage: Dimensions par unité : 0,28 × du × 0,2 0,13 mètres • Poids par unité : 3,5 kilogrammes • Unités pa
    Délai de livraison: 5-7 jours ouvrables après ont reçu votre paiement
    Conditions de paiement: Transfert télégraphique à l'avance (TTT anticipé, T/T)
    Capacité d'approvisionnement: 15,000,000pcs par jour
    Contactez maintenant
    Description de produit détaillée
    Dissipation de puissance: 00MW Tension d'alimentation: 3-5V
    Tension de collecteur-émetteur: 30V Émetteur-Collecteur-tension: 5V
    Tension d'alimentation électrique: 0.8-1.5V Courant de dissipation: 1.0-1.5ma
    Longueur d'onde maximale: 800-1100nm Distance de réception: 15 M

     

    La diode 1206 infrarouge infrarouge d'IR LED 660nm 800nm a mené pour l'application de matériel médical

     

     

    Caractéristiques :

    1. Temps de réponse rapide.
    2. Paquet d'ensemble : 3.2x1.6x2.33mm
    3. Sensibilité élevée de photo.
    4. Petite capacité de jonction.
    5. Paquet dans la bande de 8mm sur 7" bobine de diamètre.
    6. Le produit lui-même restera dans la version conforme de RoHS.

     

    Descriptions :

    1. Les 1206 SMD LED sont un phototransistor sensible à grande vitesse et haut du silicium NPN en paquet miniature de SMD qui est moulé dans un époxyde noir avec la lentille de vue de surface plane.
    2. En raison de son époxyde noir, le dispositif est spectralement assorti à la diode évidente et émetteuse d'infrarouge.

     

    Applications :

    1. Capteur automatique de porte.
    2. Système appliqué infrarouge.
    3. Compteurs et trieuses.
    4. Encodeurs.
    5. Lecteur de disquettes.
    6. Commutateur optoélectronique.
    7. Caméra vidéo, bande et lecteurs de cartes.
    8. Capteurs de position.
    9. Copieur.
    10. Machine de jeu.
    11. Applicable à toutes sortes de conditions mécaniques de lancement de clavier
    12. Approprié à toutes sortes d'équipement de transmission et de réception infrarouge
    13. L'émetteur à télécommande infrarouge convient à toutes sortes de produits électroniques
    14. Applicable à toutes sortes de petits produits d'appareil électrodomestique pour l'application de réflexion

     

    Numéro de la pièce. Matériel de puce Couleur de lentille Couleur de source
    DL-R1206PD-1PD120 Silicium Noir Phototransistor

     

     

     

     

     

     

     

    Capacités absolues (Ta=25℃)

    Paramètres Symbole Évaluation Unité

    Dissipation de puissance

    (Ou ci-dessous) à la température de l'air 25℃ libre

    PD 100 mW
    Tension de collecteur-émetteur VPRÉSIDENT 30 V
    Émetteur-Collecteur-tension VECO 5 V
    Courant de collecteur IC 20 mA
    Température de fonctionnement Topr -40 à +80
    Température de stockage Tstg -40 à +85
    La température de soudure Tsol 260℃ pendant 5 secondes
     

     

    Caractéristiques optiques électriques à Ta=25℃

    Paramètres Symbole Minimal. Type. Maximum. Unité Condition
    Tension claque de collecteur-émetteur PRÉSIDENTDE LA BV 30 --- --- V

    IC=100μA,

    ² d'Ee=0mW/cm

    Tension claque d'Émetteur-collecteur LA BVECO 5 --- --- V

    C.-À-D. =100μA,

    ² d'Ee=0mW/cm

    Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE(SAT) --- --- 0,40 V

    IC=2mA,

    ² d'Ee=1mW/cm

    Courant d'obscurité de collecteur IPRÉSIDENT --- --- 100 Na

    VCE=20V,

    ² d'Ee=0mW/cm

    Sur le courant de collecteur d'état IC(DESSUS) 0,10 0,50 --- mA

    VCE=5V,

    ² d'Ee=1mW/cm

    Temps de montée optique (10% 90%) TR --- 15 --- μs

    VCE=5V,

    IC=1mA,

    RL=1000Ω

    Temps optique d'automne (90% 10%) TF --- 15 ---
    Angle de réception 2θ1/2 --- 30 --- Degré  
    Longueur d'onde de sensibilité maximale λP --- 940 --- nanomètre  
    A sonné de la largeur de bande spectrale λ0.5 700 --- 1200 nanomètre  
     

     

     

     

    *1 : Impulsion Width=100μs, devoir Cycle=1%.

    *2 : Pendant 10 secondes.

    *3 : C.A. pour 1 minute, R.H.=40%~60%

    La tension d'isolement sera mesurée suivre la méthode suivante.

    (1) court entre l'anode et la cathode du côté primaire et entre le collecteur et l'émetteur du côté secondaire.

    (2) l'appareil de contrôle de tension d'isolement avec le circuit de zéro-croix sera employé.

    (3) la forme d'onde de la tension appliquée sera une onde sinusoïdale.

     

    Caractéristiques optiques électriques (Ta=25℃)

     

    Paramètres Symbole Minimal. Type. Maximum. Unité Condition d'essai
    Entrée Tension en avant VF --- 1,20 1,50 V IF=20mA
    Courant inverse IR --- --- 10 µA VR=4V
    Capacité terminale Ct --- 30 250 PF V=0V, f=1KHz
    Sortie Courant d'obscurité de collecteur IPRÉSIDENT --- --- 100 Na

    Vce=20V,

    IF=0 mA

    Tension claque de collecteur-émetteur VPRÉSIDENT 35 --- --- V

    IC=0.1mA,

    IF=0mA

    Émetteur – collecteur

    Tension claque

    VECO 6 --- --- V

    C.-À-D. =10uA,

    IF=0mA

    Caractéristiques de transfert Courant de collecteur IC 2,50 --- 30 mA

    VCE=5V,

    IF=5mA

    Rapport de transfert courant * CTR 50 --- 600 %
    Tension de saturation de collecteur-émetteur VCE(reposé) --- 0,10 0,20 V

    IF=20mA

    Ic=1mA

    Résistance d'isolement OINDE R 5x1010 5x1011 --- Droit de C.C 500V 40%~60%.
    Capacité de flottement Cf --- 0,6 1 PF V=0V, f=1MHz
    Fréquence de coupure fc --- 80 --- kilohertz

    VCE =5V

    Ic=2mA

    Rde Ω deL=100

    -3dB

    Temps de montée

    (10% à 90%)

    TR --- 4 18 μs

    VCE=2V,

    IC=2mA,

    RL=100Ω

    Temps de chute

    (90% à 10%)

    TF --- 3 18
     

     

    * × 100% DE CRT=IC/IF.

    Tableau luxuriant de rapport de transfert courant (CTR)

     

    Marque luxuriante Mn (%) Maximum (%)
    L 50 100
    A 80 160
    B 130 260
    C 200 400
    D 300 600
    L ou A ou B ou C ou D 50 600

     

    Notes :

    1. Le rayon recevant la surface à un sommet et la relation à l'axe de rayon de l'ordre de θ=0° et de θ=45°.

    2. Une gamme de 30cm à la distance d'arrivée. Valeur moyenne de 50 impulsions

     Dimension de paquet :

    Coordonnées
    HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd

    Personne à contacter: Tanky

    Téléphone: +8613750005407

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